[发明专利]薄膜晶体管基板及降低金属导线之间干扰的方法有效
| 申请号： | 200610060302.3 | 申请日： | 2006-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101055878A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管基板，其包括一绝缘基底、多条栅极线、多条抗干扰导线及多条数据线，该抗干扰导线相对于该栅极线绝缘设置于该栅极线与该数据线之间，该抗干扰导线的电压信号与该栅极线的电压信号反相。本发明的薄膜晶体管基板可降低栅极线对数据线的干扰。本发明还提供一种降低金属导线间干扰的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 降低 金属 导线 之间 干扰 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，其包括一绝缘基底、多条栅极线及多条与该栅极线相交的数据线，其特征在于：其进一步包括一抗干扰导线，该抗干扰导线绝缘设置于该栅极线与该数据线之间，且其相对于该栅极线设置，该抗干扰导线的电压信号与该栅极线的电压信号反相。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
