[发明专利]薄膜晶体管基板及降低金属导线之间干扰的方法有效
申请号: | 200610060302.3 | 申请日: | 2006-04-14 |
公开(公告)号: | CN101055878A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 颜硕廷 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768 |
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地址: | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 降低 金属 导线 之间 干扰 方法 | ||
【技术领域】
本发明涉及一种薄膜晶体管基板,还涉及一种降低金属导线之间干扰的方法。
【背景技术】
目前,液晶显示器逐渐取代了用于计算器的传统阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)显示器,而且,由于液晶显示器具轻、薄、小等特点,使其非常适合应用于桌上型计算机、个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)、便携式电话、电视及多种办公自动化与视听设备。
液晶显示器通常包括一彩色滤光片基板、一薄膜晶体管基板及一夹于该两基板间的液晶层。其中,该薄膜晶体管基板上设置有多条栅极线及与该多条栅极线绝缘相交的多条数据线。
请参阅图1,是一种现有技术揭露的薄膜晶体管基板的结构示意图。该薄膜晶体管基板100包括多条栅极线101、多条数据线102及多条薄膜晶体管103。该栅极线101与该数据线102绝缘相交,界定出多个像素单元104。该薄膜晶体管103设置于该栅极线101与该数据线102相交处,且该薄膜晶体管103分别与该栅极线101及该数据线102电连接。
请参阅图2,是沿图1所示线II-II的剖视图。该栅极线101设置于绝缘基底110上,一绝缘层120设置于该栅极线101上,多条数据线102设置于该绝缘层120上,该数据线102与该栅极线101存在重叠区域。当该栅极线101加载扫描信号选中一行像素单元104时,该数据线102同时将像素信号传送至各像素单元。
因为该数据线102与该栅极线101存在重叠区域,该栅极线101的信号会对该数据线102的信号产生干扰,导致该数据线102的信号失真,影响显示效果。
【发明内容】
为解决上述栅极线对数据线干扰的问题,提供一种可降低栅极线对数据线干扰的薄膜晶体管基板实为必要。
还提供一种降低金属导线之间干扰的方法。
一种薄膜晶体管基板,其包括一绝缘基底、多条栅极线、多条抗干扰导线及多条数据线,该抗干扰导线绝缘设置于该栅极线与该数据线之间,且其相对于该栅极线设置,该抗干扰导线的电压信号与该栅极线的电压信号反相,该抗干扰线设置于该栅极线的正上方。
一种降低金属导线之间干扰的方法,其步骤包括:提供相邻的一第一金属线及一第二金属线;设置一抗干扰导线于该第一金属线与第二金属线之间,且该抗干扰导线的电压信号与该第一金属线的电压信号反相,该抗干扰导线与该栅极线的距离小于该抗干扰导线与该数据线的距离。
相较于现有技术,上述薄膜晶体管基板在该栅极线与该数据线之间设置有抗干扰导线,该抗干扰导线的电压信号与该栅极线的电压信号反相,可使得该栅极线与该抗干扰导线在该数据线处的电场较弱,从而降低该栅极线对该数据线的干扰。同理,上述降低金属线间电压信号干扰的方法可有效降低金属线间的干扰。
【附图说明】
图1是现有技术的薄膜晶体管基板的示意图。
图2是沿图1所示线II-II的剖面放大示意图。
图3是本发明薄膜晶体管基板的示意图。
图4是沿图3剖面线IV-IV的剖面放大示意图。
图5是沿图3剖面线V-V的剖面放大示意图。
图6是该抗干扰导线降低该栅极线对该数据线干扰的原理示意图。
图7是本发明降低金属导线间干扰方法的金属导线排布示意图。
【具体实施方式】
请一并参阅图3、图4及图5,图3是本发明一实施方式所揭露的薄膜晶体管基板的平面示意图,图4是沿图3所示线IV-IV的剖面放大示意图,图5是沿图3所示线V-V的剖面放大示意图。该薄膜晶体管基板200包括一玻璃基底210、多条栅极线201,一第一绝缘层220、多条抗干扰导线230、一第二绝缘层240及多条数据线202。该多条栅极线201与该多条数据线202垂直绝缘相交,界定多个像素单元(未标示)。该栅极线201设置于该玻璃基底210上,该第一绝缘层220设置于该栅极线201及该玻璃基底210上,该抗干扰导线230设置于该第一绝缘层220上,该第二绝缘层240设置于该抗干扰导线230及该第一绝缘层220上,该数据线202设置于该第二绝缘层240上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的