[发明专利]制造半导体元件的方法有效
| 申请号： | 200610057843.0 | 申请日： | 2006-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1828428A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 施仁杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于制造半导体元件，特别是有关于使用一真空腔体来制造半导体元件。用于半导体制造的方法包含：提供一光阻层于一晶圆上；使用一真空腔体从光阻层上移除溶剂残渣物；以及对此晶圆进行曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体的方法，其特征在于其包括以下步骤：形成一光阻层于一晶圆上；使用一真空腔体从该光阻层移除溶剂残渣物；以及曝光该晶圆。
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