[发明专利]半导体装置及使用该装置的电子设备无效
| 申请号： | 200610051518.3 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1829095A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 加藤清;长多刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H03L7/08 | 分类号： | H03L7/08;H03L7/099;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有强大功能、多功能、和高附加值的半导体装置。该半导体装置包含提供于衬底上并输出具有正确频率的信号的PLL电路。通过在衬底上提供这种PLL电路，可以获得具有强大功能、多功能、和高附加值的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 使用 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含低电势电源；高电势电源；以及衬底上的电压控制振荡器，该电压控制振荡器电路包含：第一电路，包含第一N型薄膜晶体管和第一P型薄膜晶体管；第二电路，包含第二N型薄膜晶体管；第三电路，包含第二P型薄膜晶体管；以及第四电路，包含第三N型薄膜晶体管和第三P型薄膜晶体管，其中第一N型薄膜晶体管的源极和漏极之一连接到第一P型薄膜晶体管的源极和漏极之一，其中第一N型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个连接到第二N型薄膜晶体管的源极和漏极之一，其中第一P型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个连接到第二P型薄膜晶体管的源极和漏极之一，其中第三N型薄膜晶体管的源极和漏极之一连接到第三P型薄膜晶体管的源极和漏极之一，其中第二N型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个以及第三N型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个连接到低电势电源，其中第二P型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个以及第三P型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个连接到高电势电源，其中第二N型薄膜晶体管的阈值电压低于第一N型薄膜晶体管的阈值电压，其中第三N型薄膜晶体管的阈值电压低于第一N型薄膜晶体管的阈值电压，其中第一信号输入到第二N型薄膜晶体管的栅极和第三N型薄膜晶体管的栅极，以及其中从第一N型薄膜晶体管的源极和漏极之一以及第一P型薄膜晶体管的源极和漏极之一输出第二信号。
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