[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200610051457.0 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1828943A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 加藤树理 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，在使侧面露出地布图的第1半导体层(3)上，选择外延生长形成第2半导体层(5)，对第2半导体层(5)的表面进行热氧化，从而在第2半导体层(5)的表面形成栅极绝缘膜(6)后，介有第2半导体层(5)的侧壁地在绝缘层(2)上形成跨越第2半导体层(5)之上地配置的栅电极(7)，从而使第2半导体层(5)的侧壁具有沟道。一面抑制沟道区域的损伤，一面使半导体层的侧壁具有沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，具备：在第1半导体层的侧面外延生长成膜的第2半导体层；在所述第2半导体层的成膜面上配置的栅电极；形成在所述半导体层上，配置在所述栅电极的一侧的源极层；以及形成在所述半导体层上，配置在所述栅电极的另一侧的漏极层。
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