[发明专利]半导体晶片的封闭式红外线加热装置有效
申请号: | 200610031369.4 | 申请日: | 2006-03-17 |
公开(公告)号: | CN101038856A | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | 贾京英;刘咸成;王学仕 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H05B3/00 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 马强 |
地址: | 410111湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种半导体晶片的封闭式红外线加热装置,包括带密封盖板的壳体内部为红外线发生腔,壳体一侧设有由透射玻璃密封的透射窗口,所述腔中有两端分别安装在灯管排座和灯管座上的至少二根加热灯管,灯管另一侧装有反射板,各灯管座经绝缘柱安装在盖板上且同供电座相连,各灯管座中的冷却水通道两端的分进水口和分回水口分别同分水排的对应回水口和进水口连通,分水排中的冷却水通道与盖板中的冷却水通道连接,壳体中有冷却水通道同盖板中的所却水通道连通,壳两侧分别有进风口和出风口。本发明装置适用于半导体设备的运动晶片或固定晶片的辐射加热,它无污染性,能在真空环境下工作,并能用于加热洁净度要求很高的硅片等材料。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 封闭式 红外线 加热 装置 | ||
【主权项】:
1、一种半导体晶片的封闭式红外线加热装置,包括带密封盖板(6)的壳体(18),壳体(18)内部为红外线发生腔(19),其特征是,所述密封盖板(6)相对的壳体(18)一侧设有由透射玻璃(14)密封的透射窗口(20),所述红外线发生腔(19)中对应于所述透射窗口(20)设有两端分别安装在灯管排座(11)和灯管座(16)上的至少二根加热灯管(8),与所述透射窗口(20)相对的灯管(8)另一侧装有反射板(7),与灯管(8)数量对应的各灯管座(16)经绝缘柱(1)安装在盖板(6)上且其电极同装在盖板(6)上的绝缘供电座(5)相连,所述各灯管座(16)中的冷却水通道两端的分进水口(21)和分回水口(22)分别通过相应的水管(4)同分水排(17)的对应回水口(23)和进水口(24)连通,设有所述进水口(24)和回水口(23)的分水排(17)中的冷却水通道经其总回水口(25)和总进水口(26)与盖板(6)中的冷却水通道连接而形成水冷回路,所述壳体(18)中亦有多路冷却水通道(3)同盖板(6)中的所述冷却水通道连通,在壳体(18)对应两侧分别有至少一个进风口(2)和出风口(12)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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