[发明专利]具有不同侧壁间隔壁宽度的CMOS器件制造方法无效
| 申请号： | 200610030813.0 | 申请日： | 2006-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101140907A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 何德飚;蔡孟峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有不同侧壁间隔壁宽度的CMOS器件制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构；在具有所述第一栅极结构和第二栅极结构的衬底上淀积侧壁间隔壁材料层；刻蚀覆盖所述第一栅极结构的所述侧壁间隔壁材料层，同时利用掩膜保护覆盖所述第二栅极结构的所述侧壁间隔壁材料层；刻蚀所述侧壁间隔壁材料层以在所述第一栅极结构和第二栅极结构两侧形成侧壁间隔壁；执行杂质离子注入工艺以形成源极区和漏极区。本发明的方法在PMOS晶体管栅极两侧形成的侧壁间隔壁的长度大于在NMOS晶体管栅极两侧形成的侧壁间隔壁的长度，从而使深亚微米CMOS器件的性能得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 侧壁 间隔 宽度 cmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有不同侧壁间隔壁宽度的CMOS器件制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构；在具有所述第一栅极结构和第二栅极结构的衬底上淀积侧壁间隔壁材料层；刻蚀覆盖所述第一栅极结构的所述侧壁间隔壁材料层，同时利用掩膜保护覆盖所述第二栅极结构的所述侧壁间隔壁材料层；刻蚀所述侧壁间隔壁材料层以在所述第一栅极结构和第二栅极结构两侧形成侧壁间隔壁；执行杂质离子注入工艺以形成源极区和漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
