[发明专利]掺镱焦硅酸镥激光晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200610027760.7 | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1896342A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 赵广军;徐军;郑丽和;严成锋;苏良碧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺镱焦硅酸镥激光晶体，该晶体的分子式为：(YbxLu1－x)2Si2O7，其中x的取值范围为0.001≤x≤0.5。该晶体的制备方法，包括下列步骤：<1>按掺镱焦硅酸镥激光晶体的分子式(YbxLu1－x)2Si2O7并在0.001≤x≤0.5中选定x值，称取Yb2O3，Lu2O3和SiO2原料，<2>将所称取的各组分原料充分混合成均匀的混合粉料；<3>将所述的混合原料，在1－5Gpa的压力下压成圆柱状的料饼，在1400℃－1600℃的温度下进行烧结15－30小时，形成料块；<4>将烧好的料块装进Ir金坩埚内并置于炉膛中，采用中频感应加热Ir坩埚内的原料使其完全熔化；<5>采用a轴或b轴的掺铈焦硅酸镥晶体作籽晶，在掺镱焦硅酸镥晶体的熔点下，进行提拉法生长，经过下种、缩径、放肩、等径、收尾，降温等程序后，生长结束。 | ||
| 搜索关键词： | 掺镱焦 硅酸 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺镱焦硅酸镥激光晶体，其特征在于该晶体的分子式为：(YbxLu1-x)2Si2O7，其中x的取值范围为0.001≤x≤0.5。
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