[发明专利]多层调制掺杂的ZnO－MgZnO透明导电氧化物薄膜无效
| 申请号： | 200610022664.3 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101211990A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 黄代绘;李卫 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610031四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 具有多层调制掺杂的透明导电氧化物薄膜，属于一种半导体器件的结构设计。在ZnO缓冲层B1后增加周期性重复的调制掺杂层(包括MgxZn1－xO:Al掺杂层D、MgxZn1－xO阻挡层B、ZnO:Oy调制层M)。其缓冲层B1厚度10～20nm，掺杂层D和调制层M厚度均为2～6nm，阻挡层B厚度1～3nm；Al掺杂浓度小于5％，Mg含量10～33％。该多层调制掺杂结构不损失半导体器件的光学透过率，能解决透明导电薄膜中杂质离子散射问题，增加载流子霍耳迁移率，极大地改善器件的电学性质。有利于光电转换器件(如太阳电池)向大面积、高效率发展，也有利于透明电子器件(如液晶显示器)向高性能发展。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 调制 掺杂 zno mgzno 透明 导电 氧化物 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种多层调制掺杂透明导电氧化物薄膜，适用于光电转换器件或透明电子器件，其结构为衬底/ZnO缓冲层/MgxZn1-xO:Al/MgxZn1-xO/ZnO:Ov/MgxZn1-xO:Al/MgxZn1-xO/ZnO:0v......其特征是在衬底后加缓冲层ZnO和调制掺杂层，调制掺杂层由较宽能隙的MgxZn1-xO掺杂层、未掺杂的MgxZn1-xO阻挡层和未掺杂较窄能隙的ZnO:Ov调制层组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
