[发明专利]ZnO突波吸收器及其制备方法无效
| 申请号： | 200610010546.0 | 申请日： | 2006-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1921033A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 吕树臣;高宏玲;杨明珠 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨师范大学 |
| 主分类号： | H01C7/12 | 分类号： | H01C7/12;H01C7/112;H01C17/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 单军 |
| 地址： | 150080黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | ZnO突波吸收器及其制备方法，它涉及突波吸收器及其制备方法。为了解决目前的ZnO突波吸收器原料混合均匀性差、粉体粒径大，性能差的问题。ZnO突波吸收器由ZnO瓷片和ZnO瓷片表面的银电极制成；ZnO瓷片由ZnO、Sb2O3、Bi2O3、MnO2、Co2O3和Cr2O3制成或由ZnO、SnO、Bi2O3、MnO2和Co2O3制成。其制备方法：(一)称取原料；(二)溶解原料并调节混合液pH值；(三)老化、过滤，洗涤、干燥、焙烧；(四)压片、煅烧；(五)涂银浆料再焙烧，即得到ZnO突波吸收器。本发明制备的ZnO突波吸收器原料混合均匀，粉体粒径小为10～40nm，其压敏电压为988.2V/mm，非线性系数达87.2，漏电流为0.14μA。本发明制备ZnO突波吸收器的方法简单，而且ZnO瓷片煅烧温度比现有工艺低300～450℃，可有效地降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | zno 吸收 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、ZnO突波吸收器，其特征在于ZnO突波吸收器由ZnO瓷片和ZnO瓷片表面的银电极制成；其中ZnO瓷片由ZnO、Sb2O3、Bi2O3、MnO2、Co2O3和Cr2O3按94～95.5∶0.25～0.75∶0.5∶2∶0.25∶0.25的摩尔比制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨师范大学，未经哈尔滨师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610010546.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种纳米多台阶高度样板及其制备方法
- 下一篇：茚满醇衍生物
