[发明专利]电流可抹除可程式只读记忆体元件及其制造方法有效
申请号: | 200610007677.3 | 申请日: | 2006-02-17 |
公开(公告)号: | CN1905196A | 公开(公告)日: | 2007-01-31 |
发明(设计)人: | 刘源鸿;傅士奇;罗际兴;蔡嘉雄 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/788;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种电流可抹除可程式只读记忆体元件及其制造方法。该电流可抹除可程式只读记忆体的元件,至少包含一浮动闸极电极,该浮动闸极包含一外部边缘部分。其中,该外部边缘部分包含复数电荷转换点的尖锐尖端。该电流可抹除可程式只读记忆体的元件的形成方法,至少包括下列步骤:形成一浮动闸极电极,其中该浮动闸极电极包含一外部边缘部分,该外部边缘部分包含复数电荷转换点的尖锐尖端。本发明可以改善元件的功能、可靠度以及配合记忆体尺寸的缩小所需的制程空间,非常适于实用。 | ||
搜索关键词: | 电流 程式 只读 记忆体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种电流可抹除可程式只读记忆体元件,其特征在于其至少包含:一浮动闸极电极,包含一外部边缘部分,其中该外部边缘部分包含复数电荷转换点的尖锐尖端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的