[发明专利]固体摄像器件及其制造方法有效
申请号: | 200610006740.1 | 申请日: | 2006-01-27 |
公开(公告)号: | CN1819253A | 公开(公告)日: | 2006-08-16 |
发明(设计)人: | 栗山俊宽 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L21/822 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种固体摄像器件,具备半导体衬底(1),该半导体衬底(1)上具有:多个受光部,排列成1维状或2维状;垂直传送部,将从受光部读出的信号电荷沿垂直方向传送;水平传送部,将由垂直传送部传送的上述信号电荷沿水平方向传送;阻挡区(5),与上述水平传送部相邻,形成为仅使水平传送部的剩余电荷通过;漏区(6),与上述阻挡区(5)相邻,用于将通过了上述阻挡区(5)的上述剩余电荷排出;以及绝缘层(8),与上述漏区(6)相邻;上述漏区(6)形成为,其一部分位于上述绝缘层(8)的下层。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种固体摄像器件,具备半导体衬底,该半导体衬底上具有:多个受光部,排列成1维状或2维状;垂直传送部,将从上述受光部读出的信号电荷沿垂直方向传送;水平传送部,将由上述垂直传送部传送的上述信号电荷沿水平方向传送;阻挡区,与上述水平传送部相邻,形成为仅使上述水平传送部的剩余电荷通过;漏区,与上述阻挡区相邻,用于将通过了上述阻挡区的上述剩余电荷排出;以及绝缘层,与上述漏区相邻;其特征在于,上述漏区形成为其一部分位于上述绝缘层的下层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的