[发明专利]晶片级封装与制作上盖结构的方法

摘要

本发明公开了一种晶片级封装的方法。所述方法包括：提供上盖晶片；在其表面形成图案化薄膜；蚀刻该上盖晶片未被该图案化薄膜覆盖部分形成多个孔。接合具有该图案化薄膜的表面的该上盖晶片与透明晶片。切割该图案化薄膜周围的该上盖晶片，以形成多个上盖结构。提供器件晶片，气密接合所述上盖结构与该器件晶片，以在器件晶片上形成多个气密视窗。

主权项

1.一种晶片级封装的方法，包含有：提供上盖晶片；在所述上盖晶片的表面形成图案化薄膜，并在所述上盖晶片未与所述图案化薄膜重叠部分形成多个贯穿所述上盖晶片的孔；接合具有所述图案化薄膜的表面的所述上盖晶片与透明晶片，其中所述图案化薄膜未与所述透明晶片接合；切割所述图案化薄膜周围的所述上盖晶片，使所述图案化薄膜上的所述上盖晶片脱落并形成多个上盖结构；提供器件晶片，所述器件晶片包含有多个器件及多个与所述器件电连接的接触垫；以及使所述上盖结构的位置对应于所述器件的位置，并气密接合所述上盖结构与所述器件晶片，以在所述器件上形成多个气密视窗。