[发明专利]在非易失性半导体存储器件中驱动编程操作的方法有效
| 申请号： | 200610006062.9 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1811982A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李真烨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吕晓章;李晓舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种在非易失性半导体存储器件中驱动编程操作的方法可在编程周期和验证周期之间不对连接到要被编程的存储单元上的位线放电的情况下进行操作。这明显提高了编程速度并减少了电流损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 驱动 编程 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在具有偶数和奇数位线对并具有电连接到偶数和奇数位线的每一个上的多个存储单元的非易失性半导体存储器件中驱动编程操作的方法，所述偶数和奇数位线是交替可选择的，该方法包括：根据所选择位线的电压电平，控制所选择的要被编程的存储单元的阈值电压，所选择存储单元连接到偶数和奇数位线中的所选择的一个上；将所述偶数和奇数位线中的未被选择的一个放电到地电压；和验证所选择的已经被编程的存储单元的数据，其中，在验证数据之前和控制阈值电压之后排除用于将所选择位线放电到地电压的操作。
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