[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法、电光学装置及电子仪器无效
申请号: | 200610004575.6 | 申请日: | 2006-01-28 |
公开(公告)号: | CN1819146A | 公开(公告)日: | 2006-08-16 |
发明(设计)人: | 守屋克之 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H05B33/10;G02F1/1362 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种有源矩阵基板的制造方法等。所述方法包括:在基板(P)上形成第一方向或第二方向中任一配线(42)在交叉部56中被截断的格子图案配线(40、42、46)的第一工序;在交叉部(56)和配线(40、42、46)的一部分上形成由绝缘膜和半导体膜构成的层叠部的第二工序;形成将层叠部上被截断的配线(42)电连接的导电层(49)、及借助于半导体膜(30)与配线(42)电连接的像素电极(45)的第三工序。其中导电层(49)及像素电极(45)的形成工序,包括:通过液滴喷出法形成将导电层(49)和像素电极(45)划分的贮格围堰的工序;和在被此贮格围堰划分的区域上配置含有导电性材料的功能液的工序。能够使干法和光刻法组合的工序的次数减少。 | ||
搜索关键词: | 有源 矩阵 及其 制造 方法 光学 装置 电子仪器 | ||
【主权项】:
1.一种有源矩阵基板的制造方法,是具有像素电极的有源矩阵基板的制造方法,其特征在于,其中所述像素电极的形成工序包括:通过液滴喷出法形成划分所述像素电极的贮格围堰的工序;和在被所述贮格围堰划分的区域上配置含有导电性材料的功能液的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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