[发明专利]无基板的发光二极管及其制造方法

摘要

一种无基板的发光二极管，包括磊晶层、导电性支撑层与第一接触垫。磊晶层包括第一型掺杂半导体层、发光层与第二型掺杂半导体层。发光层是位于第一型掺杂半导体层上，且暴露出部分的第一型掺杂半导体层；第二型掺杂半导体层是位于发光层上；导电性支撑层是位于第二型掺杂半导体层上；第一接触垫是位于发光层所暴露出的第一型掺杂半导体层上，且与第一型掺杂半导体层电连接。在此无基板的发光二极管中，其第一接触垫与作为电极的导电支撑层皆位于磊晶层的同侧，如此，即可避免电极遮光效应，以提高发光二极管的正面出光效率。

主权项

1.一种无基板的发光二极管的制造方法，其特征是包括：提供转移基板；于该转移基板上形成磊晶层，该磊晶层包括依次堆叠的第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层；于该磊晶层上形成金属层；移除该转移基板；移除部分的该金属层、该第二型掺杂半导体层以及该发光层，以暴露出部分的该第一型掺杂半导体层，且被移除后的该金属层形成导电性支撑层；以及于暴露出的该第一型掺杂半导体层上形成第一接触垫，其中该第一接触垫与该第一型掺杂半导体层电连接。