[发明专利]记忆体元件及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种记忆体元件及其制造方法。该记忆体元件形成于绝缘层上有半导体(SOI)结构之上，SOI结构包括一基底、一绝缘层位于基底之上和一半导体层位于绝缘层之上。记忆体元件具有一位于SOI结构的记忆区域的记忆体阵列、复数个第一基底接触位于记忆体元件的周边区域和复数个第二基底接触位于SOI结构的记忆区域，其中第一基底接触和第二基底接触形成于半导体层及介电层内并透出半导体层以电性连结SOI结构的基底。

主权项

1、一种记忆体元件，形成于绝缘层上有半导体结构之上，该绝缘层上有半导体结构包括一基底、一绝缘层位于该基底之上和一半导体层位于该绝缘层之上，其特征在于该记忆体元件包括：一记忆体阵列位于该绝缘层上有半导体结构的记忆区域；复数个第一基底接触位于该记忆体元件的周边区域；以及复数个第二基底接触位于该绝缘层上有半导体结构的记忆区域，其中该些第一基底接触和该些第二基底接触形成于该半导体层及该介电层内并电性连结该绝缘层上有半导体结构的该基底。