[发明专利]铁电存储器件及其制造方法、半导体器件的制造方法

摘要

在形成在铁电电容器的下部电极下方的自取向膜与其下方的导电插塞之间，形成厚度在10nm以下的薄SiOCH膜，从而阻断导电插塞中的晶粒取向对所述自取向膜的影响，并且在对所述SiOCH膜表面进行氮化处理，从而避免了，自取向膜中的金属元素被氧化膜表面的氧俘获从而不会发现初始的自取向特性的问题。

主权项

1.一种铁电存储器件的制造方法，其特征在于，包括：在形成有晶体管的半导体衬底上，以覆盖所述晶体管的方式形成层间绝缘膜的工序；在所述层间绝缘膜中，形成与所述晶体管的扩散区域接触的导电的接触插塞的工序；在所述接触插塞上，依次层叠下部电极、铁电膜及上部电极而形成铁电电容器的工序；此外，在形成接触插塞的所述工序之后且在形成下部电极的所述工序之前，还包括：对所述层间绝缘膜及所述接触插塞的表面，利用OH基来进行终端处理的工序；在利用所述OH基来进行过终端处理的所述层间绝缘膜以及所述接触插塞的表面上，涂敷分子中包含Si原子和CH基的Si化合物，以此形成包含Si、氧以及CH基的层的工序；至少在所述包含Si、氧以及CH基的层的表面上，用氮原子取代所述包含Si、氧以及CH基的层中的CH基，从而将所述包含Si、氧以及CH基的层转换成在其表面包含氮的层的工序；在包含氮的所述表面上，形成具有自取向特性的膜的工序。