[发明专利]硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法有效
| 申请号： | 200580050122.0 | 申请日： | 2005-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101198727A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 稻见修一;高濑伸光;小暮康弘;滨田建;中村刚 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的硅单晶的生长方法，其为通过直拉法生长根据ASTM－F121 1979测得的氧浓度为12×1017～18×1017个原子/cm3的硅单晶的方法。生长单晶的环境气体为惰性气体和含氢原子的物质的气体的混合气体。对生长中的硅单晶的温度进行控制，以使从熔点到1350℃的结晶中心部的轴向温度梯度Gc和从熔点到1350℃的结晶外周部的轴向温度梯度Ge之比Gc/Ge为1.1～1.4、所述结晶中心部的轴向温度梯度Gc为3.0～3.5℃/mm。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 生长 方法 晶片 制造 | ||
【主权项】：
1.一种硅单晶的生长方法，其为通过直拉法生长根据ASTM-F121 1979测得的氧浓度为12×1017～18×1017个原子/cm3的硅单晶的方法，其中，生长所述单晶的环境气体含有含氢原子的物质的气体，对生长中的硅单晶的温度进行控制，以使从熔点到1350℃的结晶中心部的轴向温度梯度Gc与从熔点到1350℃的结晶外周部的轴向温度梯度Ge之比Gc/Ge为1.1～1.4、所述结晶中心部的轴向温度梯度Gc为3.0～3.5℃/mm。
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