[发明专利]通过MOCVD（金属有机化学汽相淀积）法制备ZnO透明导电膜的方法无效
| 申请号： | 200580045339.2 | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101094935A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 栗谷川悟;田中良明 | 申请（专利权）人： | 昭和砚壳石油株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;H01B13/00;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 将廉价的作为杂质包含于低纯度原料二乙基锌中的三乙基铝用作添加剂以降低膜形成的成本。将具有低纯度(99.99－98％或99.99－90％)的二乙基锌用作通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的原料。将水蒸气(H2O)用作氧化剂，和将作为杂质包含于所述原料中的三乙基铝用作添加剂(将二硼烷作为添加剂另外加入)，以使所述二乙基锌、所述水蒸气(H2O)和所述三乙基铝(以及所述二硼烷)经历汽相反应，从而制备ZnO透明导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 mocvd 金属 有机化学 汽相淀积 法制 zno 透明 导电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备ZnO透明导电膜的方法，其中将低纯度二乙基锌(Zn(C2H5)2)用作通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的原料，其中所述方法包括使用90-99.99％的二乙基锌作为原料和使用水蒸气(H2O)作为氧化剂，利用作为杂质以0.01-10％的量包含于所述二乙基锌中的三乙基铝(Al(C2H5)3)作为第III族元素添加剂，和加入二硼烷(B2H6)作为第III族元素添加剂，以使所述二乙基锌、所述水蒸气(H2O)、所述三乙基铝和所述二硼烷经历汽相反应，并从而通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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