[发明专利]前驱膜及其形成方法无效
申请号: | 200580045298.7 | 申请日: | 2005-12-27 |
公开(公告)号: | CN101095242A | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
发明(设计)人: | 栗谷川悟;田中良明;名古屋义则 | 申请(专利权)人: | 昭和砚壳石油株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L21/363 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁晓广;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在低成本下容易地形成具有需要的镓成分比例的前驱膜。本发明提供用于形成CIS型薄膜太阳能电池等的光吸收层的前驱膜,或形成所述膜的方法。通过利用包含具有镓成分比例为X wt%Ga的Cu-Ga合金层的前驱膜作为靶进行溅射而形成作为第一层的具有高的镓成分比例(Ga/(Ga+Cu))为X wt%Ga的Cu-Ga层(沉积步骤A)。之后,通过利用铜层作为靶进行溅射而形成作为在所述第一层上的第二层的铜层(沉积步骤B),由此形成按所述第一层和第二层合计具有需要的镓成分比例为Y wt%Ga(X>Y)的前驱膜。通过同时进行汽相淀积形成膜的方法也是可以的。 | ||
搜索关键词: | 前驱 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成需要具有镓成分比例为Y wt%Ga(X>Y)的前驱膜的方法,其包括:通过利用包含具有镓成分比例为X wt%Ga的Cu-Ga合金层的前驱膜作为靶进行溅射而形成作为第一层的具有高的镓成分比例(Ga/(Ga+Cu))为X wt%Ga的Cu-Ga层(第一沉积步骤),和之后通过利用铜层作为靶进行溅射而形成作为在所述第一层上的第二层的铜层(沉积步骤B),从而形成按所述第一层和第二层合计具有需要的镓成分比例Y wt%Ga(X>Y)的前驱膜。
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