[发明专利]前驱膜及其形成方法

权利要求书

1.一种形成需要具有镓成分比例为Y wt％Ga(X＞Y)的前驱膜的方法，其包括：

通过利用包含具有镓成分比例为X wt％Ga的Cu-Ga合金层的前驱膜作为靶进行溅射而形成作为第一层的具有高的镓成分比例(Ga/(Ga+Cu))为X wt％Ga的Cu-Ga层(第一沉积步骤)，和之后通过利用铜层作为靶进行溅射而形成作为在所述第一层上的第二层的铜层(沉积步骤B)，从而形成按所述第一层和第二层合计具有需要的镓成分比例Y wt％Ga(X＞Y)的前驱膜。

2.一种形成需要具有镓成分比例为Y wt％Ga(X＞Y)的前驱膜的方法，其包括：

通过选自同时蒸镀、有机金属化学汽相外延、丝网印刷和电沉积中的任一项技术将具有高的镓成分比例(Ga/(Ga+Cu))为X wt％Ga的Cu-Ga合金沉积而形成前驱膜，和通过与关于所述前驱膜相同的沉积技术以附加的量形成铜层，从而形成具有所需的低的镓成分比例Ywt％Ga(X＞Y)的Cu-Ga合金前驱膜。

3.根据权利要求1或2的形成前驱膜的方法，其中所述的前驱膜用于形成CIS型薄膜太阳能电池的光吸收层的步骤中，其中所述CIS型薄膜太阳能电池为具有基板结构的pn异质结器件，其包括按照如下顺序叠置的玻璃基板、金属背衬电极层、包含铜和镓的CuInSe₂、高阻缓冲层和n型窗口层。

4.一种包含作为第一层的Cu-Ga合金层和作为在所述第一层上形成的第二层的铜层的前驱膜，所述Cu-Ga合金层具有高的镓成分比例(Ga/(Ga+Cu))X wt％Ga，所述铜层由附加量的铜组成，其中所述前驱膜为按所述第一层和作为所述第二层的铜层合计具有需要的低的镓成分比例Y wt％Ga(X＞Y)的Cu-Ga前驱膜。

5.根据权利要求4的前驱膜，其中所述的前驱膜用于形成CIS型薄膜太阳能电池的光吸收层的步骤中，其中所述CIS型薄膜太阳能电池为具有基板结构的pn异质结器件，其包括按照如下顺序叠置的玻璃基板、金属背衬电极层、包含铜和镓的p型CIS基光吸收层、高阻缓冲层和n型窗口层。