[发明专利]电子器件及其形成工艺无效

专利信息
申请号: 200580045259.7 申请日: 2005-12-29
公开(公告)号: CN101091265A 公开(公告)日: 2007-12-19
发明(设计)人: C·D·麦克费森;D·D·沃克;M·斯坦纳 申请(专利权)人: E.I.内穆尔杜邦公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H05B33/02;H05B33/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 朱黎明
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种电子器件包括衬底和覆盖于该衬底之上、并限定了以一矢量组方式排列的一个开口阵列的结构。在沿着该矢量组的第一矢量的开口之间的第一位置上,该第一位置上的第一高度基本上彼此相等。该电子器件也包括线形的有机层,该有机层至少部分地位于沿着第一矢量的开口内、并且覆盖在处于沿着第一矢量的开口之间位置上的结构之上。
搜索关键词: 电子器件 及其 形成 工艺
【主权项】:
1.一种电子器件,包括:衬底;覆盖于所述衬底之上、并限定了以一矢量组方式排列的一个开口阵列的结构,在沿着所述矢量组的第一矢量的开口之间的第一位置上,所述第一位置上的第一高度基本上彼此相等;以及具有第一线形几何形状的有机层,它至少部分地位于沿着所述第一矢量的所述开口内、并且覆盖在处于沿着所述第一矢量的所述开口之间位置上的所述结构之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E.I.内穆尔杜邦公司,未经E.I.内穆尔杜邦公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580045259.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top