[发明专利]电子器件及其形成工艺

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

衬底；

覆盖于所述衬底之上、并限定了以一矢量组方式排列的一个开口阵列的结构，在沿着所述矢量组的第一矢量的开口之间的第一位置上，所述第一位置上的第一高度基本上彼此相等；以及

具有第一线形几何形状的有机层，它至少部分地位于沿着所述第一矢量的所述开口内、并且覆盖在处于沿着所述第一矢量的所述开口之间位置上的所述结构之上。

2.如权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述结构是阱结构。

3.如权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述有机层包括有机活性层。

4.如权利要求3所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件包括辐射发射元件、辐射响应元件或其任意组合。

5.如权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述有机层包括电荷注射层、电荷输运层、电荷阻挡层或其任意组合。

6.如权利要求1所述的电子器件，其特征在于，在沿着所述矢量组的第二矢量的开口之间的第二位置上，所述第二位置上的第二高度基本上彼此相等。

7.如权利要求6所述的电子器件，其特征在于，所述第一高度和所述第二高度基本上彼此相等。

8.如权利要求6所述的电子器件，其特征在于，所述第一高度显著不同于所述第二高度。

9.如权利要求6所述的电子器件，其特征在于，所述第一矢量和所述第二矢量基本上定向成彼此垂直。

10.如权利要求1所述的电子器件，其特征在于，还包括位于所述衬底与所述结构之间的电极。

11.如权利要求1所述的电子器件，其特征在于，还包括覆盖于所述有机层之上的电极。

12.一种用于形成电子器件的工艺，包括：

形成覆盖于衬底之上的结构，所述结构限定了以一矢量组方式排列的一个开口阵列，在沿着所述矢量组的第一矢量的开口之间的第一位置上，所述第一位置上的第一高度基本上彼此相等；以及

印刷具有第一线形几何形状的第一有机层，所述第一有机层至少部分地位于沿着所述第一矢量的所述开口内、并且覆盖在处于沿着所述第一矢量的开口之间位置上的所述结构之上。

13.如权利要求12所述的工艺，其特征在于，所述第一有机层包括有机活性层。

14.如权利要求12所述的工艺，其特征在于，使用连续液体分配装置以连续印刷的方式进行印刷。

15.如权利要求12所述的工艺，其特征在于：

所述结构包括所述矢量组的第二矢量，并且在沿着所述第二矢量的开口之间的第二位置上，所述第二位置上的第二高度基本上彼此相等；

所述工艺还包括连续印刷聚合第二线形几何形状的第二有机层；以及

所述第二有机层至少部分地位于沿着所述第二矢量的所述开口内、并且覆盖在处于沿着所述第二矢量的开口之间位置上的所述结构之上。

16.如权利要求15所述的工艺，其特征在于，所述第一有机层包括在第一波长下具有最大发射的第一有机活性层，所述第二有机层包括在不同于所述第一波长的第二波长下具有最大发射的第二有机活性层。

17.如权利要求12所述的工艺，其特征在于，连续印刷所述第一有机层在大于100cm/s的移动速率下执行。

18.一种电子器件，包括：

衬底；

由覆盖于所述衬底之上的第一组结构限定的第一矢量开口，所述第一组结构具有基本上彼此相等的第一高度；

具有第一线形几何形状的第一有机层，至少部分地位于所述第一矢量开口内、并且覆盖于所述第一组结构之上；

由第二组结构限定、并且基本上平行于所述第一矢量开口的第二矢量开口，所述第二组结构具有基本上彼此相等的第二高度；以及

具有第二线形几何形状的第二有机层，至少部分地位于所述第二矢量开口内、并且覆盖于所述第二组结构之上。

19.如权利要求18所述的电子器件，其特征在于，所述第一高度显著不同于所述第二高度。

20.如权利要求19所述的电子器件，其特征在于，所述第一有机层包括在第一波长下具有最大发射的第一有机活性层，所述第二有机层包括在不同于所述第一波长的第二波长下具有最大发射的第二有机活性层。