[发明专利]包含半导体纳米晶体的发光器件无效
| 申请号： | 200580044326.3 | 申请日： | 2005-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101088180A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 塞思·科－沙利文;乔纳森·S·斯特克尔;李安·金;芒吉·G·巴文迪;弗拉迪米尔·布洛维克 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈桉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 发光器件包含层形式的半导体纳米晶体。该层可为由微接触印刷法沉积的半导体纳米晶体单层。该单层可在基板上形成图案。可以形成多层显示器，其包括以不同波长发射的多个发光器件，各器件包括半导体纳米晶体单层。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 半导体 纳米 晶体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种器件的制造方法，其包括：将纳米材料置于涂布器的表面；使涂布器的表面接触包括第一电极的基板，由此将至少一部分纳米材料转移到基板上；以及配置与第一电极相对的第二电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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