[发明专利]基板加热处理装置以及用于基板加热处理的基板运送用托盘有效
| 申请号： | 200580033738.7 | 申请日： | 2005-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101036220A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 柴垣真果;榑松保美 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/673;H01L21/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 何腾云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明要解决的技术问题是，提供一种能够抑制被加热处理的基板的表面粗糙的产生的基板的加热处理装置。本发明中，一种基板加热处理装置，该基板加热处理装置具有对配置在能够真空排气的处理室内的基板进行加热处理的加热构件，通过上述加热构件，对配置在上述处理室中的基板进行加热处理，在上述加热构件和基板之间配备感受器，该感受器的配置着上述基板的一侧的表面由在上述基板加热处理期间不放出气体的材料覆盖。该基板加热处理装置将上述基板夹在其间，在与上述感受器相对的一侧配备受热体，该受热体接收来自上述加热构件的通过了上述感受器的热，该受热体的配置着上述基板的一侧的表面由在上述基板加热处理期间不放出气体的材料覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 处理 装置 以及 用于 运送 托盘 | ||
【主权项】：
1.一种基板加热处理装置，该基板加热处理装置具有对配置在能够真空排气的处理室内的基板进行加热处理的加热构件，通过上述加热构件，对配置在上述处理室中的基板进行加热处理，其特征在于，在上述加热构件和基板之间配备感受器，该感受器的配置着上述基板的一侧的表面由在上述基板加热处理期间不放出气体的材料覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
