[发明专利]半导体电桥装置以及具备半导体电桥装置的点火器有效
| 申请号： | 200580033640.1 | 申请日： | 2005-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN101036034A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 前田繁;椋木大刚 | 申请（专利权）人： | 日本化药株式会社 |
| 主分类号： | F42B3/13 | 分类号： | F42B3/13 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种至产生火花为止的反应时间较短、且火花产生量也较大的半导体电桥装置。本发明的半导体电桥装置，是在基板上具有一对焊盘部分及电性连接这一对焊盘部分的电桥部，并通过配置在这一对焊盘部分上面的电极极板而通电，以此使该电桥部中产生火花，此半导体电桥装置的特征在于，这一对焊盘部分及该电桥部是由将多组金属层与金属氧化物层交替重叠而成的叠置层所构成，并将该叠置层的最上层设为金属层，并且使用分解温度超过1500℃的金属氧化物作为该金属氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电桥 装置 以及 具备 点火器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体电桥装置，是在基板上具有一对焊盘部分及电性连接所述一对焊盘部分的电桥部，且在所述一对焊盘部分上面配置电极极板，并通过所述电极极板来通电，以此使所述电桥部中产生火花，所述半导体电桥装置的特征在于，所述一对焊盘部分及所述电桥部是由将多组金属层与金属氧化物层交替重叠而成的叠置层所构成，并将所述叠置层的最上层设为所述金属层，并且使用分解温度超过1500℃的金属氧化物作为所述金属氧化物层。
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