[发明专利]由等离子体增强的化学气相沉积的多层涂层无效

专利信息
申请号: 200580032732.8 申请日: 2005-09-02
公开(公告)号: CN101031669A 公开(公告)日: 2007-09-05
发明(设计)人: A·M·加贝尔尼克;C·A·兰伯特 申请(专利权)人: 陶氏环球技术公司
主分类号: C23C16/02 分类号: C23C16/02;C08J7/04;C23C16/40;B05D7/24
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供在有机聚合物基材的表面上通过大气压等离子体沉积制备多层涂层的方法,方法的步骤包括在第一步骤中由气态混合物的大气压等离子体沉积,沉积等离子体聚合的,光学透明,高度粘附的有机硅化合物的层(第一层)到有机聚合物基材的表面上,该气态混合物包括有机硅试剂化合物和任选地氧化剂和其后在第二步骤中由气态混合物的大气压等离子体沉积,沉积硅氧化物化合物的基本均匀层(第二层)到该第一层的曝露表面上,该气态混合物包括氧化剂和有机硅试剂化合物,其中在气态混合物中氧化剂对有机硅试剂化合物的摩尔比在第二步骤中比在第一步骤中大。
搜索关键词: 等离子体 增强 化学 沉积 多层 涂层
【主权项】:
1.在有机聚合物基材的表面上通过大气压等离子体沉积制备多层涂层的方法,方法的步骤包括在第一步骤中由气态混合物的大气压等离子体沉积,沉积等离子体聚合的,光学透明,高度粘附的有机硅化合物的层(第一层)到有机聚合物基材的表面上,该气态混合物包括原硅酸四烷基酯化合物和任选地氧化剂,和其后在第二步骤中由气态混合物的大气压等离子体沉积,沉积硅氧化物化合物的基本均匀层(第二层)到该第一层的曝露表面上,该气态混合物包括氧化剂和原硅酸四烷基酯化合物,其中在使用的气态混合物中氧化剂对原硅酸四烷基酯化合物的摩尔比在第二步骤中比在第一步骤中大。
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