[发明专利]CMOS和沉积的光子有源层的单片式集成的布图

摘要

公开了几个详细的布图设计，用于大阵列中雪崩器件的单片式集成，其可以只取决于所施加的偏压条件而用作雪崩光电二极管(APD)或雪崩发光二极管(ALED)，所述偏压条件可以是由外围电路通过软件控制的。如果所沉积的膜具有直接能带隙，那么即使在没有雪崩操作时器件也可以发光。具体而言，根据本发明的布图包括通过复制基本像素/光素单元而获得的传感器/发光器矩阵。

主权项

1、一种包括在衬底上制造的像素矩阵的成像器件，其特征在于：该像素矩阵包括若干像素单元，每一个单元包括至少一个行选择晶体管和至少一个光子器件，每一个行选择晶体管和每一个光子器件都形成于所述衬底的有源区上，每一个光子器件都在与行选择晶体管的有源区相邻但分隔开的有源区上制造，对整个传感器/发射器矩阵上的所有光子器件共用的上部电极，通过所述上部电极所有光子器件都连接到相同电位。