[发明专利]薄硅化钨层沉积和栅金属集成无效
| 申请号： | 200580024386.9 | 申请日： | 2005-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1989597A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李明;树林·王 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3205;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于沉积栅极层的方法。该方法包括沉积掺杂多晶硅层、薄硅化钨层和金属层。一方面，在集成处理系统内沉积该掺杂多晶硅层和薄多晶硅层。另一方面，沉积该薄硅化钨层包括将多晶硅层暴露于硅源中、沉积硅化钨层，并将该硅化钨层暴露于硅源中。 | ||
| 搜索关键词： | 薄硅化钨层 沉积 金属 集成 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上沉积栅极层的方法，包括：在衬底上沉积多晶硅层；在所述多晶硅层上沉积具有厚度约20和约80之间的硅化钨层；以及在所述硅化钨层上沉积金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
