[发明专利]钻石底半导体装置及形成方法无效
| 申请号： | 200580023409.4 | 申请日： | 2005-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1993802A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 宋健民 | 申请（专利权）人： | 宋健民 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L31/0312;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钻石底半导体装置(200)及其形成方法，是提供一具有一介面表面(212)相反匹配钻石层(204)的装置表面(210)构造的模具(220)，之后将一被动钻石层(204)沉积于模具(220)的钻石介面表面(212)上，一基层(202)结合于该被动钻石层(204)的形成面(222)上，至少去除一部分模具(220)来外露钻石的装置表面(210)，其与模具钻石介面表面的构造是相反对应，该模具(220)可由合适的半导体材料形成，其进一步削薄以制造最终装置，选择性地，该半导体材料可在去除模具(220)后结合至该钻石层(204)。 | ||
| 搜索关键词： | 钻石 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种钻石底半导体装置，其特征在于包括：a)一基层；b)一设置于基层上的被动钻石层，其具有一远离基层的装置表面；c)一半导体层，是结合于该钻石层的设备表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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