[发明专利]形成具有不同特性的晶体半导体区域之衬底的方法

摘要

藉由在第一晶体半导体区域内形成电介质区域以提供单一衬底上之不同类型的晶体半导体区域。其后，使用晶圆结合技术将第二晶体区域置于电介质区域上。在优选实施例中，伴随电介质区域会在第一晶体层形成隔离结构。更详而言之，可以形成不同晶体方向的晶体半导体区域，其可在目前常用的互补金属氧化物半导体(CMOS)制程中维持高灵活性和兼容性。

主权项

1.一种方法，包括：在形成于第一晶体半导体层(104)中的凹部(111)内形成电介质区域(111a)，该第一晶体半导体层(114)形成于衬底上并且具有第一特性；执行至少一次处理操作以将第二晶体半导体层(152)置于该电介质区域(111a)和该第一晶体半导体层之上，该第二晶体半导体层具有不同于该第一特性的第二特性；以及移除该第二晶体半导体层(152)的一部分以暴露出第一晶体半导体层(104)的一部分。