[发明专利]形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置无效
| 申请号： | 200580014398.3 | 申请日： | 2005-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1950957A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 中村修二;S·迪巴尔司 | 申请（专利权）人： | 美商克立股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本发明的用于制造高光提取光子器件的方法的一实施例包括：在基板上生长剥离层以及在该剥离层上生长外延半导体器件结构，使得该剥离层夹于该器件结构与基板之间。该外延半导体结构包含适用于响应于偏压而发光的发射极。将该器件结构、剥离层及基板用倒装芯片法安装在一子基板上，使得该外延半导体器件结构夹于该子基板与剥离层之间。移除该剥离层以使该基板与该器件结构分离。可使用不同的移除方法，例如通过光电化蚀刻或通过使用激光照射来移除剥离层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 碳化硅 基板上 氮化 剥离 方法 使用 制造 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造高光提取光子器件的方法，包括： 在基板上生长剥离层； 在所述剥离层上生长外延半导体器件结构，使得所述剥离层夹于所述器件结 构与基板之间，所述外延半导体结构包括适用于响应于偏压而发光的发射极； 将所述器件结构、剥离层及基板用倒装芯片法安装在一子基板上，使得所述 外延半导体器件结构夹于所述子基板与所述剥离层之间；以及 移除所述剥离层以使所述基板与所述器件结构分离。
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