[发明专利]光泵浦的半导体装置有效
| 申请号： | 200580013368.0 | 申请日： | 2005-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1947316A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·卡努奇;诺贝特·林德;沃尔夫冈·施密德 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置，其包括具有有源垂直发射层(3)的光泵浦的垂直发射器和泵浦辐射源，借助该泵浦辐射源产生沿横向传播的泵浦辐射，该泵浦辐射场将在泵浦区域中的垂直发射层(3)光泵浦，其中泵浦辐射场的波长小于由垂直发射器生成的辐射场(12)的波长。所述泵浦辐射源具有有源泵浦层(2)，该有源泵浦层沿垂直方向设置在垂直发射层(3)之后，并且沿垂直方向看至少部分与垂直发射层重叠，其中这样设置有源泵浦层(2)，使得工作时所产生的泵浦辐射场比由垂直发射层(3)产生的横向传播的寄生辐射场具有更高的功率，或者其中通过垂直发射层(3)来抑制横向传播的寄生辐射场的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 光泵浦 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有光泵浦的垂直发射器，所述垂直发射器具有有源垂直发射层(3)；以及泵浦辐射源，借助所述泵浦发射源产生沿横向传播的泵浦辐射场，所述泵浦辐射场将泵浦区域中的所述垂直发射层(3)光泵浦，其中所述泵浦辐射场的波长小于由所述垂直发射器生成的辐射场(12)的波长，其特征在于，所述泵浦辐射源具有有源泵浦层(2)，所述泵浦层(2)沿垂直方向设置在所述垂直发射层(3)后，并且沿着垂直方向看至少部分与所述垂直发射层(3)重叠，其中所述有源泵浦层这样地设置，使得工作时所产生的泵浦辐射场(14，15)比由所述垂直发射层(3)所产生的、横向传播的寄生辐射场具有更高的功率，或者使得抑制通过所述垂直发射层(3)产生的横向传播的寄生辐射场。
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