[发明专利]用于制造在制成的半导体器件和电子器件内用作层内或层间电介质的超低介电常数材料的改进方法

摘要

公开了以平行板化学气相沉积工艺，利用离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)工艺制造包括Si、C、O和H原子的热稳定的超低介电常数膜的方法。进一步公开了包含由本方法制造的热稳定超低介电常数材料的绝缘层的电子器件。为了制造热稳定的超低介电常数膜，使用特殊的前体材料，如硅烷衍生物例如二乙氧基甲基硅烷(DEMS)和有机分子例如双环庚二烯和环戊烯氧化物。

主权项

1、制造超低介电常数膜的方法，包括下列步骤： 在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)反应器的室内充入具有分 子式SiRR’R”R的第一种前体气体，其中R、R’、R”和R相同或不 同并选自H、烷基和烷氧基； 向所述室内充入具有下式之一的第二种前体气体： 烯烃：炔烃：醚：和环氧烷烃：其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵和R⁶可以相同或不相同，并且选自氢、烷 基、烯基或炔基，这些基团可以是线型的、支化的、环状的、多环的 并可以用含氧、氮或氟的取代基团官能化；和 从所述前体气体在基体上沉积超低k膜。