[发明专利]GaN系半导体装置有效
| 申请号： | 200580010946.5 | 申请日： | 2005-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN1943035A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 池田成明;李江;吉田清辉 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种GaN系半导体装置，其通态电阻低、反偏压的电压外加时的漏电流非常小，而且耐压特性非常优异，其结构具备：III－V族氮化物半导体层，其至少包含1个带隙能量不同的III－V族氮化物半导体的异质结结构；第一阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面；第二阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面并与所述第一阳极电极电连接，并且形成比所述第一阳极电极形成的肖特基势垒更高的肖特基势垒；及绝缘保护膜，其与所述第二阳极电极接触，并配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面。 | ||
| 搜索关键词： | gan 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种GaN系半导体装置，其特征是，具备：III-V族氮化物半导体层；第一阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面；第二阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面并与所述第一阳极电极电连接，并且形成比所述第一阳极电极形成的肖特基势垒更高的肖特基势垒；以及绝缘保护膜，其与所述第二阳极电极接触，并配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面。
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