[发明专利]在聚合物存储器器件的金属氮化物和金属氧化物电极中产生电子陷阱有效
| 申请号： | 200580010052.6 | 申请日： | 2005-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1938783A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | M·P·雷纳维卡;G·H·奥斯卡斯多蒂尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施方案通过在金属电极和聚合物铁电体层间的绝缘金属氮化物和/或金属氧化物层中产生过量空穴降低对聚合物铁电存储器器件中的聚合物铁电体层所产生的损害。金属氮化物和/或金属氧化物中的过量空穴俘获金属电极在AC偏置下注入的电子，否则所述电子将会损害聚合物铁电体层。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 存储器 器件 金属 氮化物 氧化物 电极 产生 电子 陷阱 | ||
【主权项】：
1.一种装置，所述装置包括：第一金属电极层；邻近所述第一金属电极层的金属氮化物层；邻近所述金属氮化物层的聚合物铁电体层；邻近所述聚合物铁电体层的金属氧化物层；和邻近所述金属氧化物层的第二金属电极层；其中所述金属氮化物和金属氧化物层包含过量空穴以与所述第一和第二金属电极层注入的电子复合。
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