[发明专利]高介电常数介电材料的稳定化方法无效
申请号: | 200580009236.0 | 申请日: | 2005-05-12 |
公开(公告)号: | CN1934685A | 公开(公告)日: | 2007-03-21 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·奥尔森;普拉文·K·纳万克尔;施雷斯·S·卡尔;兰德海尔·撒克;尚克尔·姆萨克瑞斯南;菲利普·A·克劳斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/314 | 分类号: | H01L21/314;H01L21/316;H01L21/28 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种生成介电叠层的方法,其通过将基板暴露在一系列的沉积、氮化及退火处理中。在一实例中,提供一种方法其包含将该基板暴露在一沉积处理下以于其上生成一介电层;将该基板暴露在一氮化处理中,以在其上形成一氮化物层;将该基板暴露在一退火处理中及将该基板顺序暴露在该沉积及氮化处理中,同时周期性及间歇性地将该基板暴露在该退火处理中,以形成一具有预定厚度的介电叠层。一般来说,在氮化处理中使用一氮气等离子体以形成约5at%至约25at%的氮浓度。该介电层通常包含氧及至少一种选自铪、钽、钛、铝、锆、镧、硅及其之组合的元素。 | ||
搜索关键词: | 介电常数 材料 稳定 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在基板上形成介电叠层的方法,包括:在基板上沉积第一介电层;将所述第一介电层暴露于氮化处理中,以形成第一氮化层;在所述第一氮化层上沉积第二介电层;将所述第二介电层暴露于氮化处理中,以形成第二氮化层;以及以预定时间将所述基板暴露在退火处理中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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