[发明专利]淀积高质量微晶半导体材料的方法无效
| 申请号： | 200580007121.8 | 申请日： | 2005-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1934678A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | S·古哈;C·C·杨;阎宝杰 | 申请（专利权）人： | 联合太阳能系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 微晶半导体材料层的等离子体淀积方法，通过用电磁能激发包含半导体材料前体和稀释气体的工艺气体，由此产生等离子体而进行该方法。将微晶半导体材料层等离子体淀积到衬底上。工艺气体中的稀释物浓度作为已淀积的微晶半导体材料层厚度的函数变化。还公开了用这种工艺制备N－I－P型光伏器件的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 淀积高 质量 半导体材料 方法 | ||
【主权项】：
1.微晶半导体材料层的等离子体淀积方法，其中用电磁能将包含半导体材料前体和稀释物的工艺气体激发，由此产生等离子体，该等离子体将所述微晶半导体材料层淀积到衬底上，其中的改进包括：作为已淀积微晶半导体材料层厚度的函数改变所述工艺气体中稀释物的浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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