[发明专利]气体处理装置和成膜装置有效
| 申请号： | 200580000515.0 | 申请日： | 2005-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1806317A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 饭塚八城;木村宏一郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/455;H01L21/205;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种气体处理装置，包括：支承被处理基板的载置台(5)、处理容器(2)、后混合型喷淋头(40)和具有向喷淋头供给原料气体的原料气体流路和向喷淋头供给氧化性气体的氧化性气体流路的气体供给机构(60)。喷淋头具有：与载置台上的被处理基板之间隔着规定间隔相对的底面；在此底面上形成的沟槽；与原料气体流路连通，在除沟槽以外的底面上开口，喷出原料气体的多个原料气体喷出孔(44a)和与氧化性气体流路连通，在沟槽中开口，喷出氧化性气体的多个氧化性气体喷出孔(44b)。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种气体处理装置，包括：支承被处理基板的载置台；包围所述载置台上的被处理基板的处理容器；分别独立的向所述载置台上的被处理基板喷出第一气体和第二气体的喷淋头；具有向所述喷淋头供给所述第一气体的第一气体流路和向所述喷淋头供给所述第二气体的第二气体流路的气体供给机构，其中，所述喷淋头具有：与所述载置台上的被处理基板之间隔着规定的间隔相对的底面；在所述底面上形成的沟槽；与所述气体供给机构的第一气体流路连通，在除所述沟槽之外的所述底面上开口，喷出所述第一气体的多个第一气体喷出孔；和与所述气体供给机构的第二气体流路连通，在所述沟槽中开口，喷出所述第二气体的多个第二气体喷出孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
