[实用新型]凸块接合结构无效
| 申请号： | 200520118808.6 | 申请日： | 2005-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN2849967Y | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 何昆耀;宫振越 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种凸块接合结构，用以电性连接一芯片以及一承载器，芯片具有至少一芯片接垫与一暴露出芯片接垫的保护层，且承载器具有至少一承载接垫与一暴露出承载接垫的焊罩层。凸块接合结构包括一第一金属凸块、一第二金属凸块与一中间金属层。第一金属凸块配置于芯片接垫上，且第一金属凸块相对于保护层的表面具有一第一高度。第二金属凸块配置于承载接垫上，且第二金属凸块相对于焊罩层的表面具有一第二高度。中间金属层配置于第一金属凸块与第二金属凸块之间，其中第一金属凸块与第二金属凸块之间的最短距离、第一金属凸块的第一高度与第二金属凸块的第二高度的总和小于60微米，且中间金属层的熔点同时小于第一金属凸块的熔点与第二金属凸块的熔点。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 结构 | ||
【主权项】：
1、一种凸块接合结构，用以电性连接一芯片以及一承载器，其特征在于该芯片具有至少一芯片接垫与一暴露出该芯片接垫的保护层，且该承载器具有至少一承载接垫与一暴露出该承载接垫的焊罩层，该凸块接合结构包括：一第一金属凸块，配置于该芯片接垫上，且该第一金属凸块相对于该保护层的表面具有一第一高度；一第二金属凸块，配置于该承载接垫上，且该第二金属凸块相对于该焊罩层的表面具有一第二高度；以及一中间金属层，配置于该第一金属凸块与该第二金属凸块之间，其中该第一金属凸块与该第二金属凸块之间的最短距离、该第一金属凸块的该第一高度与该第二金属凸块的该第二高度的总和小于60微米，且该中间金属层的熔点同时小于该第一金属凸块的熔点与该第二金属凸块的熔点。
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