[发明专利]电压供电电路、集成DRAM存储器电路及控制供电电源的方法无效
| 申请号： | 200510137352.2 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1811977A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | H·罗伦茨;M·门克;H·塞茨 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;王忠忠 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及电压供电电路，用于在集成电路中提供内部供电电压；该电压供电电路具有供电电源和调节电路，该供电电源用于调整供电电压线上的内部供电电压，该调节电路为了接通和关断而与供电电源连接，且该调节电路自身能够关断和规律地重新接通；其中该调节电路包括控制单元，以便接通和关断供电电源，以致供电电压线上的内部供电电压由于电容性电荷存储基本上只不过偏差了极限值。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 供电 电路 集成 dram 存储器 控制 电源 方法 | ||
【主权项】：
1.电压供电电路，用于提供集成电路中的内部供电电压；具有用于在供电电压线(3)上调整该内部供电电压(VINT)的供电电源(1)：具有为了接通和切断而与该供电电源(1)连接的调节电路(4)，其中，该调节电路包括：控制单元，以便接通和关断该供电电源，以致在该供电电压线(3)上流过供电电流时，该供电电压线上的该内部供电电压由于电容性电荷存储基本上只不过偏差了极限值。
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