[发明专利]CMOS图像传感器的光电二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器的光电二极管及其制造方法，其中，可以防止注入在器件隔离膜附近的离子扩散到光电二极管区，以减少暗电流。CMOS图像传感器的光电二极管包括：重掺杂P型半导体衬底；形成在半导体衬底上的轻掺杂P型外延层；形成在外延层上的栅电极；形成在外延层中的器件隔离膜和N型光电二极管区；形成在外延层上以敞开器件隔离膜和光电二极管区之间的部分的隔离膜；以及形成在外延层中的器件隔离膜和光电二极管区之间的重掺杂P型扩散区。

主权项

1.一种CMOS图像传感器的光电二极管，包括：重掺杂P型半导体衬底；轻掺杂P型外延层，形成在所述半导体衬底上；栅电极，形成在所述外延层上；器件隔离膜和N型光电二极管区，形成在所述外延层上；绝缘膜，形成在所述外延层上，以敞开所述器件隔离膜和所述光电二极管区之间的部分；以及重掺杂P型扩散区，形成在所述外延层中的所述器件隔离膜和所述光电二极管区之间。