[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200510131702.4 | 申请日: | 2005-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN1790733A | 公开(公告)日: | 2006-06-21 |
| 发明(设计)人: | 姜泰旭 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82;H05B33/12;H05B33/10;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。当制造薄膜晶体管时,采用电极材料在发射区形成虚设图案,以改进发射区的台阶高度,从而可以在制造有机层的过程中减小像素电极和施主底片(film)的间距。这个减小的间距可以减小用激光感应热成像技术时转移传输层所用的激光能量,从而改善装置的寿命和效率。此外,像素电极可以延伸到薄膜晶体管区和电容区,从而提高开口率。 | ||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种有机发光显示装置,包括:发射区,其包括:像素电极、至少包括一个发射层的有机层、和在基板上的反向电极,发射区由像素定义层限定,虚设图案设置在像素电极下方的发射区中;包括栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管区;和包括下极和上极的电容区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510131702.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:防止和治疗癌转移以及与癌转移相关的骨质损失的方法
- 下一篇:通信系统中的登记
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





