[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 200510129404.1 | 申请日： | 2005-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1815630A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 福田良;渡辺阳二;藤井秀壮 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体存储器。该装置具备：具有第1端子和第2端子、而且根据是否被激光电气切断而存储信息的熔断器元件，连接在第1端子上的电阻元件，传输所述信息的节点，以及设置在所述电阻元件与所述节点之间、并且将所述信息设定在所述节点的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征在于，具备具有第1端子和第2端子，并根据是否被激光电气切断而存储信息的熔断器元件、连接在第1端子上的电阻元件、传输所述信息的节点、以及设置在所述电阻元件与所述节点之间，并且将所述信息设定在所述节点的晶体管。
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