[发明专利]移除栅极上的金属硅化物层的方法及蚀刻方法

摘要

本发明揭示一种移除半导体工艺中栅极上的金属硅化物层的方法。其中，栅极、金属硅化物层、间隙壁，氮化硅盖层、及介电层均已形成。本发明的方法包括下列步骤：首先，进行一化学机械抛光工艺，以抛光介电层，并以氮化硅盖层为抛光终止层，而暴露栅极上方的氮化硅盖层；接着，移除露出的氮化硅盖层以暴露栅极上的金属硅化物层；最后，进行一第一蚀刻工艺以移除栅极上的金属硅化物层。

主权项

1.一种移除半导体工艺中栅极上的金属硅化物层的方法，该栅极位于一半导体衬底上，该栅极的上表面覆盖有一金属硅化物层，该栅极与该金属硅化物层一起形成的各侧壁上设置有一间隙壁，一层氮化硅盖层覆盖该金属硅化物层、该些间隙壁、及该半导体衬底，一介电层覆盖于该氮化硅盖层，该移除于半导体工艺中栅极上的金属硅化物层的方法包括：进行一化学机械抛光工艺，以抛光该介电层，并以该氮化硅盖层为抛光终止层，而暴露该栅极上方的氮化硅盖层；移除该暴露的氮化硅盖层以暴露该栅极上的金属硅化物层；以及进行一第一蚀刻工艺以移除该栅极上的金属硅化物层。