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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]降低接触电阻的接触窗的制造方法-CN200710161972.9无效
发明人：陈正坤;简俊弘;吴至宁;廖玉梅;王伟民;陈泳卿;谢荣源;吴欣雄 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种降低接触电阻的接触窗的制造方法。首先，提供其上已依序形成有保护层及介电层的基底。之后，进行干式蚀刻工艺，以移除部分介电层，而形成暴露部分保护层的开口。接着，进行湿式清洗工艺。然后，进行干式清洗工艺，以移除位于开口底部的保护层。继之，在开口中形成导体层。
降低接触电阻制造方法

[发明专利]栅极的制造方法-CN200710004751.0无效
发明人： 吴至宁;王伟民;萧国坤 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-01-30 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极的制造方法，包括提供基底，基底上至少已形成有一层栅极材料层。在栅极材料层上形成一层图案的掩模层。进行湿式蚀刻工艺微缩图案的掩模层的横向尺寸。接着以图案的掩模层为掩模，移除部分栅极材料层，而形成具有预定尺寸的栅极。
栅极制造方法

[发明专利]移除栅极上的金属硅化物层的方法及蚀刻方法-CN200510124739.4有效
发明人：陈正坤;吴至宁;萧维沧;余文福 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-11-16 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明揭示一种移除半导体工艺中栅极上的金属硅化物层的方法。其中，栅极、金属硅化物层、间隙壁，氮化硅盖层、及介电层均已形成。本发明的方法包括下列步骤：首先，进行一化学机械抛光工艺，以抛光介电层，并以氮化硅盖层为抛光终止层，而暴露栅极上方的氮化硅盖层；接着，移除露出的氮化硅盖层以暴露栅极上的金属硅化物层；最后，进行一第一蚀刻工艺以移除栅极上的金属硅化物层。
栅极金属硅化物层方法蚀刻

[发明专利]制造半导体器件的方法及移除间隙壁的方法-CN200510106798.9有效
发明人：李忠儒;吴至宁;萧维沧 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明揭示一种制造半导体器件的方法，其包括于一半导体衬底上定义一电极；于电极的至少一侧壁上形成一间隙壁；于半导体衬底上进行一工艺操作，工艺操作使用间隙壁作为掩模并于半导体衬底与电极的顶部或表面产生一物质层；以及移除间隙壁的步骤。其中，移除间隙壁的步骤包括使用含有磷酸的酸性溶液作为蚀刻液于100℃至150℃的温度下对间隙壁进行湿式蚀刻工艺。另一方面，还揭示一种半导体工艺中移除间隙壁的方法，是使用含有磷酸的酸性溶液作为蚀刻液于100℃至150℃的温度下对半导体工艺中的间隙壁进行湿式蚀刻工艺。
制造半导体器件方法间隙

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其制造方法-CN200510108839.8有效
发明人：曹博昭;黄昌琪;陈铭聪;江怡颖;张毓蓝;李忠儒;吴至宁;廖宽仰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，是先于一基底上形成栅极结构，再于栅极结构侧壁形成偏移间隙壁。然后，进行第一离子注入工艺，以于栅极结构侧边的基底内形成LDD，再于偏移间隙壁的侧壁形成另一间隙壁。接着，进行第二离子注入工艺，以于前述间隙壁侧边的基底内形成源极与漏极，再于源极与漏极表面形成一硅化金属层。之后，于硅化金属层表面形成一氧化层，再将间隙壁去除。随后，于基底上形成一层蚀刻中止层。由于硅化金属层表面有氧化层保护，所以不会受到去除间隙壁时所采用的溶剂损害。
金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

[发明专利]制作应变硅晶体管的方法-CN200510107198.4有效
发明人： 吴至宁;戴炘;李忠儒;萧维沧 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明是揭露一种制作应变硅晶体管的方法，该方法包括下列步骤：首先提供一半导体衬底，且该半导体衬底上包括至少一栅极结构。然后进行一蚀刻工艺，以于该栅极结构相对两侧的该半导体衬底中形成二凹槽，并对该半导体衬底进行一氧气冲洗(O₂ flush)。接着对该半导体衬底进行一清洗工艺，然后进行一选择性外延成长工艺，以于该些凹槽内分别形成一外延层，当作源极/漏极。
制作应变晶体管方法

[发明专利]光致抗蚀剂剥离方法-CN200510103862.8无效
发明人： 吴至宁;戴炘;江怡颖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-09-16 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种光致抗蚀剂剥离方法，首先形成第一介电层，且第一介电层中包括多个接触结构。接着，在第一介电层上形成阻障层。然后，在阻障层形成一第二介电层。之后，在第二介电层上形成图案化的光致抗蚀剂层。接下来，以图案化的光致抗蚀剂层为掩模，图案化第二介电层与阻障层，以暴露出接触结构的一部分。并且使用还原气体移除图案化的光致抗蚀剂层，此还原气体例如是不含氧的气体。由于还原气体不含氧，可减少接触结构表面氧化物的产生，以降低接触结构的阻值。
光致抗蚀剂剥离方法

[发明专利]间隙壁的移除方法及金属氧化物半导体晶体管的制造方法-CN200510008283.5有效
发明人： 吴至宁;李忠儒;廖宽仰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-02-21 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种间隙壁的移除方法，适于一金属氧化物半导体晶体管形成之后。此金属氧化物半导体晶体管包括位于基底上的栅极、位于栅极侧壁上的间隙壁以及位于间隙壁侧边的基底中的源极区与漏极区。此间隙壁的移除方法于无光的环境下进行湿式蚀刻工艺，如此在移除间隙壁时，可避免损伤金属氧化物半导体晶体管中的源极区与漏极区。本发明还涉及金属氧化物半导体晶体管的制造方法。
间隙方法金属氧化物半导体晶体管制造

[发明专利]晶片的清洗方法以及栅极结构的制造方法-CN200510008130.0有效
发明人： 吴至宁;李忠儒;廖宽仰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-02-05 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种晶片的清洗方法，此方法适于定义出栅极结构之后。其中，此栅极结构从基底表面由下而上依次为栅介电层、含氮的阻挡层与含硅的栅极层。此外，其清洗方法使用磷酸溶液与氢氟酸溶液对基底进行清洗。因此，上述的清洗方法可去除晶片上由含氮的阻挡层与含硅的栅极层所生成的氮化硅残留物，并减少污染物与微粒附着，进而提高工艺的成品率、元件品质及可靠性。
晶片清洗方法以及栅极结构制造

[发明专利]双镶嵌工艺中两阶段去除介层洞光阻的方法-CN200410037530.X有效
发明人： 吴至宁;连文良;李忠儒;李美龄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2004-04-28 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种双镶嵌工艺中两阶段去除介层洞光阻的方法，可以避免导线沟渠变形。首先，第一步骤中以惰性气体(如氦气、氩气、氮气等)/四氟甲烷(CF₄)等离子体对介层洞光阻进行反应时间小于20秒的短时间接触。然后，在第二步骤中以还原性气体等离子体去除剩余的介层洞光阻，可避免对含碳量较高的低介电常数材料构成伤害。
镶嵌工艺阶段去除介层洞光阻方法

[发明专利]介层洞优先双镶嵌制程-CN03156535.2有效
发明人： 吴至宁;刘名馨;周孝邦;林清标;王培仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-09-03 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种介层洞优先双镶嵌制程，包含下列步骤：提供一半导体基底，其上形成有导电结构以及介电层设于该半导体基底上，其中该介电层包含有一介层洞开孔，暴露出部分该导电结构；于该介层洞开孔内填满填缝高分子材料(GFP)，并形成一填缝高分子层于该介电层上；回蚀刻该填缝高分子层一预定深度，使该填缝高分子层的表面低于该介电层的表面，形成凹槽，借此暴露出部分该介层洞开孔的侧壁；以及进行一表面处理手段，用以改变该介层洞开孔的侧壁与该填缝高分子层的表面的特性，借此避免后续填入该凹槽的深紫外线(DUV)光阻与该介层洞开孔的侧壁或与该填缝高分子层的表面发生任何物理或化学作用。
介层洞优先镶嵌

[发明专利]形成半导体镶嵌结构的蚀刻制程-CN03107403.0有效
发明人： 吴至宁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-03-12 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明揭示一种新的形成镶嵌结构的蚀刻方法。本发明包含：进行一破除制程以去除残留于硬遮层表面的聚合物残余物质与氧化物质，其中，破除制程是使用具有碳氟比的气体(CFx－based)，例如，Ar/O₂/CF₄，轻微地冲刷硬遮层的顶部表面以去除残留的聚合物残余物质与氧化物质。随后，进行一蚀刻制程以蚀穿硬遮层直到介电层的一预定厚度为止。最后，进行另一蚀刻制程以蚀穿硬遮层与介电层，并形成镶嵌结构于介电层中，其中，此蚀刻制程是使用含氯的混合气体，例如，具有Cl₂/O₂的混合气体。
形成半导体镶嵌结构蚀刻

[发明专利]金属镶嵌制程的去除光阻的方法-CN02132204.X有效
发明人： 吴至宁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-08-27 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明揭示一种新的金属镶嵌制程的光阻层的去除方法。本发明的方法包括：首先提供一半导体元件，其上覆盖形成一介电层(Inter－metaldielectric)。然后在介电层上方形成且限定一光阻层。随后，藉由光阻层当成一罩幕进行一蚀刻制程，并蚀穿介电层以形成介层洞，且在光阻层的表面上形成一聚合物层。之后，进行两步骤移除制程以移除光阻层上的聚合物层与光阻层。藉此，可维持沟槽轮廓，且可避免聚合物层的残留。
金属镶嵌去除方法

[发明专利]一种无突出物形成的双镶嵌制程的湿式清洗方法-CN02140721.5有效
发明人： 吴至宁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-12 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种无突出物形成的双镶嵌制程的湿式清洗方法，特指一种两阶段湿式清洗方法，结合一突起物抑制手段，改良的两阶段湿式铜制程清洗方法，包含有几个主要步骤(1)氧化步骤；(2)铜氧化物蚀刻步骤及(3)突起物抑制手段。利用突起物抑制手段来抑制解离的铜离子经由还原反应累积在第一铜金属导线表面，有效防止铜突起物的发生，又能够干净清洗蚀刻后的双镶嵌结构，具有提高产品的可靠度的功效。
一种突出形成镶嵌清洗方法

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