[发明专利]低成本的深沟槽去耦电容器器件及其制造方法

摘要

一种新颖的沟槽型去耦电容器结构以及用于形成该沟槽去耦电容器(decap)的低成本制造方法。在特有的方面，本发明只需在基本逻辑设计中增加简化的沟槽。

主权项

1.一种被形成在半导体衬底中的去耦电容器(decap)结构，所述半导体衬底具有被形成在其中的沟槽绝缘体结构，所述去耦电容器包括：电容器沟槽，其被形成在所述沟槽绝缘体结构中，所述沟槽具有比所述沟槽绝缘体结构的宽度小的宽度、并延伸入所述衬底，所述沟槽具有电容器电介质层，所述电介质层衬里所述沟槽的侧壁和底部；内部去耦电容器电极，其由被沉积在所述电容器沟槽中的掺杂半导体材料形成；以及外部去耦电容器电极，其包括相邻于所述沟槽、在所述衬底中的所述沟槽绝缘体结构之下形成的掺杂半导体材料区域。