[发明专利]Ⅲ－V族化合物半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510120114.0 | 申请日： | 2005-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1770492A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 山本健作 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;李晓舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种III－V族化合物半导体发光元件是包含III－V族化合物半导体的发光元件，其特征在于，包含第一层叠体(10)和第二层叠体(20)，第一层叠体(10)包含III－V族化合物半导体层叠体(11)、在III－V族化合物半导体层叠体(11)的一个主面侧形成的反射层(108)、第一扩散抑制层(109)、第一金属层(110)，第二层叠体(20)包含半导体衬底(201)和第二金属层(205)，第一层叠体(10)和第二层叠体(20)由第一金属层(110)和第二金属层(205)接合，通过第一扩散抑制层(109)抑制反射层(108)和第一金属层(110)之间的原子的扩散。由此，可提供一种对芯片面积周围的外部的光取出效率高的III－V族化合物半导体元件及莫制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III-V族化合物半导体发光元件，是包含III-V族化合物半导体的发光元件，其特征在于，包含第一层叠体和第二层叠体，所述第一层叠体包含依次层叠了n型半导体层、活性层、以及p型半导体层的III-V族化合物半导体层叠体、在所述III-V族化合物半导体的一个主面侧形成的反射层、第一扩散抑制层、第一金属层，所述第二层叠体包含半导体衬底和第二金属层，所述第一层叠体和第二层叠体由所述第一金属层和所述第二金属层接合，通过所述第一扩散抑制层抑制所述反射层和所述第一金属层之间的原子的扩散。
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