[发明专利]纵向双极晶体管的制造方法和集成电路有效
| 申请号： | 200510119946.0 | 申请日： | 2005-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1773683A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | P·阿尔戈特松;K·安德松;H·诺尔斯特伦 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L27/082 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于在单个管芯上制造具有不同击穿电压和高频性能特性的纵向双极晶体管的方法包括，对于每个纵向双极晶体管，形成埋入式集电区、和在埋入式集电区上方的基区和发射区。对于每个纵向双极晶体管，选择基区和发射区以及埋入式集电区的横向延伸部分和位置，以在基区和发射区以及埋入式集电区之间建立重叠，如上所示，其中选择至少一些重叠使之不同。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向 双极晶体管 制造 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于在单个管芯上制造具有不同击穿电压和高频性能特性的纵向双极晶体管的方法，其特征在于如下步骤：对于每个纵向双极晶体管，形成埋入式集电区、和在埋入式集电区(2)上方的基区(4、6)和发射区(5)，其中对于第一纵向晶体管，设置发射区(5)、基区(4、6)和埋入式集电区(2)，使得在发射区(5)和埋入式集电区(2)之间没有重叠，以及使得在基区(4、6)和埋入式集电区(2)之间存在至少部分重叠，由此埋入式集电区(2)与发射区(5)横向分开，以及其中对于第二纵向晶体管，设置发射区(5)、基区(4、6)和埋入式集电区(2)，使得在基区(4、6)和埋入式集电区(2)之间存在至少部分重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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